Onlangs is de eerste partij siliciumcarbide modules met behulp van nanosilver sintertechnologie met succes van de productielijn van Zhixin Semiconductor Fase II gehaald,het voltooien van onafhankelijke verpakkingenDit zal grote voordelen meebrengen voor de ontwikkeling van de Chinese nieuwe-energievoertuigenindustrie.
Siliconcarbide breedbandgap halfgeleider is een belangrijk onderzoeksproject in de voorhoede van wetenschap en technologie in de nationale "14e vijfjarenplan".hoge elektronenmobiliteit, hoge thermische geleidbaarheid en andere kenmerken, hebben siliciumcarbide-modules aanzienlijke voordelen van hoog rendement, hoge druk en hoge werktemperatuur,en de toepassing ervan in middelgrote tot hoge nieuwe energievoertuigen wordt steeds populairder.
Het Zhixin Semiconductor Silicon Carbide Module-project is gebaseerd op het nieuwe generatie 800V hoogspanningsplatform van Dongfeng's onafhankelijke merk "Mach Power".Het project werd in eerste instantie in 2021 ontwikkeld en in december 2022 officieel goedgekeurd als massaproductieproject.Het project van de siliciumcarbide module wordt geleid door Zhixin halfgeleiderverpakkingstechnologie en werkt uitgebreid samen met centrale ondernemingen en universiteiten.het bereiken van onafhankelijke controle van de belangrijkste kerntechnologieën vanaf het ontwerp van de module, moduleverpakkingstests, toepassing van elektronische besturingssystemen op voertuigen voor wegtests en andere aspecten. the silicon carbide module development project has participated in one special project of the State owned Assets Supervision and Administration Commission and two industry standard formulation projects.
De siliciumcarbide-module gebruikt het nano zilver sinterproces en koperbindingstechnologie.gebruikt hoogwaardige siliciumnitride-keramische bekledingsplaat en op maat gemaakte koperen substraat voor hitteafvoerDe thermische weerstand wordt met meer dan 10% verbeterd in vergelijking met traditionele processen, de werktemperatuur kan 175 °C bereiken,het verlies wordt aanzienlijk verminderd met meer dan 40% in vergelijking met IGBT-modules, en het voertuigbereik wordt met 5% -8% vergroot.